瑞萨科技公司(Renesas Technology)日前宣布，推出采用56引脚QFN封装R2J20602NP。该器件集成了一个驱动器IC和两个高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服务器等产品的CPU稳压器(VR)。
    R2J20602NP符合英特尔公司提议的“集成驱动器MOSFET(DrMOS)”封装标准(以下称作DrMOS)。它集成了一个驱动器IC和两个高端/低端开关电源MOSFET。R2J20602NP是瑞萨科技继第一代的R2J20601NP支后开发的第二代DrMOS标准兼容产品，也是在工艺和封装结构方面进行了改进的更高性能的第二代产品。R2J20602NP的主要特性包括：

(1)40A的最大输出电流
    40A的最大输出电流——代表了业界的最高性能——采用瑞萨科技的高性能功率MOSFET技术、新开发的高辐射/低损耗封装，以及专为功率MOSFET性能而优化的高速驱动器IC。这些技术支持需要大电流的CPU、FPGA和存储器等电子元件。

(2)与当前的瑞萨产品相比，功率损耗降低20%以上
    当工作在1MHz开关频率时，其大约为89%的最高效率实现了业界最高水平(Vin=12V，Vout=1.3V)。其输出电流为25A，功率损耗为4.4W——业界的最低水平——比瑞萨当前的R2J20601NP低至少20%。使用R2J20602NP有助于实现高效的电源配置，并抑制散热量，从而开发出一个节能的最终产品。

(3)小型封装与第一代产品引脚安排兼容
    其封装与瑞萨当前的R2J20601NP引脚安排兼容。8×8×0.95mm的小型56引脚QFN封装适用于高速交换，有助于使用更小的外部电感器和电容器等无源元件，并可减少元件数量。这将使VR变得更小。
    样品供货将从2006年12月在日本开始。详细情况，请访问http://cn.renesas.com/fmwk.jsp?cnt=press_release20061120.htm&fp=/company_info/news_and_events/press_releases。