【产通社，12月29日讯】华芯半导体有限公司(Shandong Sino-chip Semiconductors Ltd.)官网消息，在中国电子学会近日主办的“2013年度中国电子学会科学技术奖评选”活动中，其“大容量动态随机存储器（DRAM）芯片”项目荣获科技进步二等奖。

华芯研发出国内首款与世界先进水平同步的DRAM芯片，在高可靠高性能单元阵列设计、多电压供电技术、局部阵列自刷新技术、温度补偿自刷新技术等方面做出突破性创新，芯片技术达到国际先进水平。华芯DRAM芯片打破国外垄断，填补了国内空白，与国外同类芯片相比，具有容量大、功耗低、可靠性高的优点，成为国家自主知识产权集成电路体系的重要支撑。自2010年以来，华芯不断加强技术和产品研发，并且在自主封装测试工艺和新技术研发方面实现了协同发展，产品大批量产，广泛应用于国内外各类服务器、计算机、机顶盒和智能终端等产品。

中国电子学会科学技术奖是经国家科学技术奖励工作办公室批准设立，由中国电子学会组织举办的全国性科技成果评选活动。评选每年进行一次，主要奖励在电子信息领域科学研究、技术创新与开发、科技成果推广应用和实现产业化方面取得卓著成绩或者做出突出贡献的个人和集体，优秀获奖项目将由工业和信息化部推荐参加国家科学技术奖的评选。中国电子学会是国内电子信息行业最大的非营利性学术社会团体，现有个人会员10万余人，团体会员600余个。
 
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