【产通社，12月26日讯】中国科学院微电子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官网消息，“973计划”项目“纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究”2013年度总结大会日前在微电子所召开。

专家组成员科技部重大科学研究计划处王静副处长，中科院前沿科学与教育局杨永峰处长、孔明辉处长，外国专家局马俊如教授，中科院吴德馨院士、王占国院士、夏建白院士、李树深院士、高鸿钧院士，清华大学范守善院士，中科院上海高等研究院院长封松林研究员，中科院微电子所所长叶甜春研究员，中科院国家纳米中心王琛研究员，北京大学薛增泉教授、朱星教授、张兴教授，中山大学邓少芝教授，中科院微电子所科技处处长王文武研究员及项目组科研人员参加会议。项目首席科学家刘明研究员及各课题负责人、科研骨干分别汇报了项目的工作进展情况。

刘明研究员首先向专家组和与会人员介绍了该项目的研究背景、研究目标和年度项目进展情况。她指出，项目各课题不仅圆满完成了本年任务，并在四个重点领域取得了较大的突破：对新型氧化物存储材料及含有多层电荷俘获材料的电荷存储器件开展了系统性的研究；利用原位电子全息技术研究了多晶HfO2俘获层在不同的操作电压下俘获电荷的聚集和扩散，首次直接观察到电荷俘获存储器内部的电荷转移和分布过程，该成果发表在Nature Communications上；通过对电荷俘获存储器在应力条件下器件界面及体缺陷生长的研究，完善了自主开发的CTM器件模拟平台，实现了电荷俘获存储器器件性能退化的预测；面向嵌入式应用，完成了2T结构CTM存储器件的集成技术研发和闪存芯片的研制。该项目在2013年度共发表论文42篇，其中SCI收录29篇，国际学术期刊28篇，国内学术期刊5篇，国际学术会议9篇；授权发明专利14项，新申请发明专利11项。

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