【产通社，11月15日讯】德州仪器（TI）官网消息，其FemtoFET MOSFET晶体管面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用，采用超小型封装，支持不足100毫欧的导通电阻。

产品特点

三个N通道及三个P通道FemtoFET MOSFET均采用平面栅格阵列（LGA）封装，与芯片级封装（CSP）相比，其可将板积空间锐减40%。CSD17381F4与CSD25481F4支持不足100毫欧的导通电阻，比目前市场上类似器件低70%。所有FemtoFET MOSFET均提供超过4000V的人体模型（HVM）静电放电（ESD）保护。点击这里观看视频。

FemtoFET MOSFET归属TI NexFET功率MOSFET产品系列，该系列还包括适用于手机等便携式应用的CSD25213W10 P通道器件以及CSD13303W1015 N通道器件等。TI提供LP5907大电流低压降（LDO）线性稳压器以及TPS65090前端电源管理单元（PMU）等各种系列的电源管理产品，可为手持应用节省板级空间，降低功耗。

FemtoFET MOSFET系列的主要特性与优势：
 . 不足100毫欧的导通电阻比类似器件低70%，可节省电源，延长电池使用寿命；
 . emtoFET 0.6×1.0×0.35毫米的LGA封装比标准CSP小40%；
 . 1.5-3.1A的持续漏极电流值与当前市场类似尺寸器件相比，可提供超过2倍的性能。

供货与报价

FemtoFET MOSFET器件现已开始批量供货。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.ti.com.cn/femtofet-pr-cn。