【产通社，11月14日讯】中国科学院微电子研究所（Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences，IMECAS）官网消息，其集成电路先导工艺研发中心科研人员10月27-11月1日参加第224届国际电化学会议(ECS 224th)，并作关于22纳米技术代工艺研发工作成果的报告，受到业内关注。

国际电化学协会(electrochemical society, ECS)于1902年在美国创立，是具有广泛国际影响的学术组织，目前拥有8000多名注册会员，包括来自70多个国家的科学家和工程师。

ECS大会已举行224届，是一个具有重要影响力的学术盛会。先进集成电路工艺以及相关材料，整合技术是ECS大会的一个重要主题。每次会议都吸引集成电路研发领域的知名研究机构和公司参加。

有来自世界各地的约3000多位科学家和工程人员参加了本次大会，IMEC、IBM、Global foundry、Samsung、Micro、Applied materials、LAM、ASM等研究机构和企业到会做了精彩的报告。微电子所集成电路先导工艺研发中心杨涛、崔虎山、王桂磊、项金娟、孟令款5位科研人员，分别就“22nm工艺开发中钨金属栅填充及化学机械平坦化”、“ALD工艺前驱源对Al2O3/Ge界面的影响”以及“后栅集成工艺中阻挡层TaN评估”等主题作了报告，受到了与会的IMEC、IBM、Global foundry、Samsung、ASM等工业界学术代表的广泛关注。

经过三年多工艺平台建设的艰苦工作，集成电路先导工艺研发中心建成了能够开展高端CMOS工艺研发的平台，并在两年多的时间里取得了一系列面向20纳米平面CMOS工艺和14纳米FinFETS工艺研发的成果。此次在ECS大会上展示的成果集中于20纳米技术代中的工艺难点，并回答了“W金属是否对金属栅的Vt有影响？”、“ALD TaN层作为后栅工艺阻挡层的可行性”等工业界广泛关注的问题，其成果对高K-金属栅的工业应用具有直接影响。

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