【产通社，10月1日讯】中芯国际集成电路制造有限公司（SMIC；NYSE股票代码：SMI；HKEX股票代码：981）官网消息，其多元化嵌入式非挥发性记忆体（eNVM）平台包括0.18和0.13µm嵌入式电可擦可编程只读存储器（eEEPROM）技术、嵌入式闪存（eFlash）技术、多次可编程（MTP）、单次可编程（OTP），以及在明年第二季度预备就绪的55nm eFlash技术。该高差异化的平台可满足客户对低成本、低功耗、高性能和高可靠性各方面的需求，以提升客户产品竞争力。

中芯国际拥有非常完整的eNVM设计支持架构。对于每一个技术节点的设计支持都以提供基本技术信息的PDK开始，并包括额外的例如MiM、bit cell、ESD结构等组件。此外，该平台集成了EEPROM、Flash、ROM、VR、OSC、I/O、PLL、ADC、LDO、USB、存储器编译器、标准单元库，以及跟芯片安全有关的光检测器（light detector）和电压监测器（voltage detector)IP。还有其它如eDRAM、eFUSE等特殊器件IP。除了上述IP组件外，中芯国际还提供客制化IP服务以满足客户特殊设计上的需求。

中芯国际eNVM平台适用于消费类、工业产品、汽车电子等广泛的产品应用，诸如MCU（微控制器）、触控屏；以及一系列的智能卡应用领域（涵盖SIM卡、社会保障、交通运输和银行卡等）。通常这些应用对性能、可靠性、尺寸、功耗具有较高的要求。中芯国际现已与诸多业界知名企业在eNVM平台上合作，目前该平台已进入量产。

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