【产通社，8月5日讯】Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代号：VSH）官网消息，其新款-40V和-30V器件SiS443DN和SiSS27DN适用于24V、19V和12V负载开关，以及移动计算、智能手机和平板电脑中电源管理等各种应用的适配器和电池开关。这些器件的低导通电阻在业内领先，使设计者能够在电路里实现更低的压降，更有效地使用能源，并延长电池使用时间。

产品特点

SiS443DN采用PowerPAK 1212-8和PowerPAK 1212-8S封装，在-10V和-4.5V栅极驱动下具有业内较低的导通电阻，是首款-40V P沟道Gen III器件，SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1212-8S封装的-30V MOSFET。

在需要更高电压的应用里，3.3×3.3mm PowerPAK 1212-8封装的-40V SiS443DN提供11.7mΩ（-10V）和16mΩ（-4.5V）的最高导通电阻。在导通电阻非常重要的场合，SiSS27DN提供了极低的5.6mΩ（-10V）和9mΩ（-4.5V）导通电阻，采用高度0.75mm的PowerPAK 1212-8S封装。

SiS443DN和SiSS27DN进行了100%的Rg和UIS测试。MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定，符合RoHS指令2011/65/EU。

供货与报价

新款P沟道MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十四周到十六周。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.vishay.com。