【产通社，6月30日讯】益登科技（EDOM Technology）官网消息，意法半导体（STMicroelectronics；纽约证券交易所代码：STM）发布全新优化的H9SOI绝缘体上硅工艺——H9SOI_FEM。意法半导体同时投资扩大产能，以满足客户的最大需求。

意法半导体于2008年成功研发了具有突破性的H9SOI技术，随后客户运用这项技术研制了4亿多颗手机和Wi-Fi射频开关。凭借在这一领域的研发经验，H9SOI_FEM为天线开关和天线调谐器提供业界最佳的品质因数（Ron x Coff ＝ 207fs）。

H9SOI_FEM是一个栅宽0.13µm的1.2V和2.5V双栅MOSFET技术。与制造射频开关等分立器件的传统的SOI制程不同，H9SOI_FEM支持多项技术，如GO1 MOS、GO2 MOS和优化的NLDMOS，这些特性让H9SOI_FEM支持单片集成射频前端的全部主要功能，包括射频开关、低噪放大器（LNA）、无线多模多频功率放大器（PA）、双工器、射频耦合器、天线调谐器和射频能源管理功能。

GO1 MOS是高性能LNA首选技术，能够承受极低的噪声系数（1.4dB @ 5GHz），提供60GHz的阈频率（Ft），为5GHz设计提供较高的安全系数。
GO2 CMOS和GO2 NMOS 被广泛用于研制射频开关，让意法半导体的工艺为天线开关和天线调谐器提供业界最好的品质因数（Ron x Coff＝ 207fs）。
GO2高压MOS可单片集成功率放大器和能源管理功能。在饱合低频带GSM功率条件下，优化的NLDMOS技术使功率放大器的Ft达到36GHz，开关效率达到60%。关于能源管理，PLDMOS晶体管的击穿电压为12V，可直接连接电池。

必要时在三层或四层铝和厚铜层上沉积，还可提高集成无源器件的性能。

H9SOI_FEM既适用于重视低成本和高集成度的低端市场，又适用于高端智能手机市场。高端产品通常要求集成多频段，不仅支持2G、3G和4G标准，还需支持其它的无线连接标准，如蓝牙、Wi-Fi、GPS和用于非接触式支付的NFC（近距离通信）。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.edom.com.tw，http://www.stmicroelectronics.com.cn。