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联华电子携手新思科技加速14纳米FinFET制程研发
2013/6/26 19:08:00     

【产通社,6月26日讯】联华电子(UMC)消息,其与新思科技(Synopsys)的合作已获得成果。采用新思科技DesignWare逻辑库的IP组合及Galaxy实作平台的一部分-寄生StarRC萃取方案,成功完成了联华电子第一个14纳米FinFET制程验证工具的设计定案。

由于FinFET制程所具备的效能、功耗、芯片内变异性以及比平面CMOS制程较低的数据保留电压等优势,引起了芯片设计公司高度的兴趣。此制程验证工具将提供初期的数据,让联华电子得以调整其14纳米FinFET制程,并且优化Synopsys的DesignWare IP产品组合,藉以得到最佳化的功耗、性能和面积。它同时也提供了数据,让FinFET仿真模型与硅制程结果有更好的关联性。

在双方持续发展中的合作关系上,采用新思科技DesignWare硅智财解决方案来认证联华电子14纳米FinFET制程,可视为是双方此次合作的第一座里程碑。查询进一步信息,请访问官方网站http://www.umc.com。(金百佳)

    (完)
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