【产通社，6月24日讯】杭州士兰微电子股份有限公司（Hangzhou Silan Microelectronics CO.,LTD.）官网消息，其SD696X系列芯片内置高压MOSFET及QR（准谐振）+PWM+PFM控制回路，具有多种高效的工作模式，在不同负载条件下均可实现最优效率，满足能源之星LEVEL6 (EPS2.0)的效率要求。SD696X系列芯片覆盖8-18W输出功率，可广泛应用于机顶盒、DVD播放机、电源适配器等整机产品。

产品特点

SD696X系列芯片采用了峰值电流补偿和抖频等多项自主专利技术。其中，峰值电流补偿专利技术可确保高低压下整机最大输出功率一致性，同时又可以减小上电过程中变压器的应力，防止变压器饱和。而抖频的专利技术则可以优化整机EMI性能。

SD696X系列芯片基于士兰微电子自主研发的BCD工艺平台，采用了DIP-8的封装形式，内置了650V高压功率MOSFET，具有集成度高、占板面积小、便于整机调试等突出的特点。相对于采用分立的控制芯片和功率MOSFET的应用方案来说，不仅降低了综合成本，而且大幅度提高了芯片的可靠性，可以为满足能源之星6级能效的电源系统提供最优的解决方案。该系列芯片具有多种高效的工作模式：
 . 高压输入重载：工作在QR模式下，以减小开关损耗，最大频率限制在80KHz；
 . 低压输入重载：以PWM模式工作；
 . 轻载：以PFM模式工作，通过降低开关频率提高转换效率；
 . 空载或极轻载：以打嗝模式工作，降低的待机功耗。

同时，芯片可以通过内置电流采样电阻和优化降频曲线等方法进一步优化转换效率。此外，SD696X系列芯片内部集成各种保护功能，可确保整机在各种异常状态下的安全工作。保护功能包括欠压保护、过压保护、过载保护、过温保护和脉冲前沿消隐功能等。

供货与报价

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