【产通社，6月14日讯】联华电子（UMC）消息，其将加入IBM技术开发联盟，共同开发10纳米CMOS制程技术。本合作拓展了双方于2012年签订之14纳米FinFET合作协议。拥有IBM的支持与know-how，联华电子将可持续提升其内部自行研发的14纳米FinFET技术，针对行动运算与通讯产品，提供富竞争力的低耗电优化技术。
按计划，双方将开发10纳米制程基础技术，以满足联华电子客户的需求。联华电子将指派工程团队加入位于美国纽约州阿尔巴尼(Albany, New York)的10纳米研发计划，而联华电子14纳米FinFET与10纳米未来的制造，则将在联华电子位于台湾南科的研发中心进行。
查询进一步信息，请访问官方网站http://www.umc.com。(Judy Jin)
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