【产通社，6月12日讯】友尚企业集团（YOSUN GROUP）官网消息，意法半导体（STMicroelectronics；NYSE股票代码：STM）的新一代STripFET VII DeepGATE MOSFET高能效功率组件，能够降低电信系统、运算系统、太阳能逆变器、工业自动化以及汽车电子等应用对环境影响。

产品特点
 

STripFET VII DeepGATE MOSFET拥有目前市场销售的80V和100V功率晶体管中最高的导电效率，同时提高了开关效率。此外，新产品有助于简化设计，使用数量更少且封装更小的组件，可减少系统功耗和提高能效目标，从而降低了设备尺寸和成本。

强化的MOSFET闸极结构是意法半导体STripFET VII DeepGATE技术的重要突破，在降低组件通态电阻的同时还降低了内部电容和闸极电荷，进一步提高开关速度和效率。新产品的抗雪崩能力优异，使产品在可能损坏组件的恶劣条件中仍可正常工作，因此STripFET VII DeepGATE是汽车电子应用的最佳选择。

STripFET VII DeepGATE在各种应用使用的主要电压额定值下，提供业界领先的能效、功率容量和耐用性。STripFET VII DeepGATE技术特别适用于DC电压驱动的电气系统，如电信设备广泛使用的48VDC电压。80V或100V组件具有充足的安全余量，可承受在48V系统中常见的过电压浪涌，适合12V或24V汽车电子应用。

供货与报价

现可订购的STripFET VII DeepGATE样品或产品超过15种，包括STP270N8F7 80V组件和一系列100V组件，客户可选择TO-220、DPAK、PowerFLAT 5×6和2针脚或6针脚H2PAK封装。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.yosungroup.com，以及http://www.stmicroelectronics.com.cn。