【产通社，6月11日讯】联华电子（UMC）消息，其0.18微米至28纳米制程平台将采用力旺电子独特开发的OTP (One-Time-Programmable embedded non-volatile memory, 单次可程序嵌入式非挥发性内存) 及MTP (Multiple-Times-Programmable embedded non-volatile memory, 多次可程序嵌入式非挥发性内存) 技术，布建范围横跨成熟与先进制程，不仅可提供客户全方位之嵌入式非挥发性内存解决方案，并展现联华电子掌握尖端制程优势，积极扩展eNVM全方位技术版图之决心。

联华电子与力旺电子自2006年开始展开了长期的合作，联华电子将力旺电子单次可程序嵌入式非挥发性内存技术成功布建于其0.18微米以下之制程平台，至今已创造许多佳绩。力旺电子之eNVM技术应用相当广泛，涵盖智能型手机与平板计算机之电源管理芯片、高阶液晶显示器驱动芯片、触控面板控制芯片、电源计量芯片、传感器控制芯片、音讯编译码芯片与近场无线通讯芯片等各项主流消费性电子产品领域。

此次扩展合作范围，联华电子除扩增采用力旺电子之OTP技术，更扩大导入MTP技术领域，将能以更完整之嵌入式非挥发性内存制程平台，强化技术服务支持广度，满足更多不同客户需求。搭配联华电子在先进制程的布局，亦已为力旺电子在28、40奈米之制程平台保留了绝佳的参与位置与发展舞台。

力旺电子近年来致力于全方位的可程序嵌入式非挥发性内存之技术开发，目前产品线包括NeoBit、NeoFuse、NeoMTP、NeoFlash、NeoEE等系列性技术与硅智财，为业界少见能够于OTP及MTP嵌入式非挥发性内存技术领域，提供全方位完整布局之硅智财厂商。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.umc.com。(Judy Jin)