【产通社，5月31日讯】钰创科技（Etron Technology；上柜股票代号：5351）消息，其将于2013 Computex Taipei展会上，发表该公司再度缔造全球最快速度之USB3.0快闪记忆碟控制芯片——EV26699，其读取/写入速率达320/280MB/s。

产品特点

EV26699采独特的双信道闪存接口，具备先进之72位纠错能力（ECC），可支持多家闪存大厂于2nm及1nm先进制程之NAND Flashes产品。EV26699在搭配SLC闪存使用时，读取/写入速率最高可达每秒320/280MB；而搭配MLC闪存使用时，读取/写入速率亦可达每秒300/280MB。EV26699在硬件规格上可支持16CE或8CE两个版本，可采88-pin或64-pin QFN封装。

钰创科技提供完整之双信道USB3.0快闪记忆碟控制芯片系列，包括：最佳性价比之EV266系列、高速度EV2669 Accelerator系列、全球超高速之EV26699系列等。钰创EV266产品具备最佳性价比优势深获广大客户青睐，而加速器EV2669则已获得多家国际客户的支持与采用。

供货与报价

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