【产通社，5月29日讯】联华电子（UMC）消息，其与半导体逻辑非挥发性内存（NVM）硅智财领导厂商——Kilopass签署了技术开发协议，Kilopass非挥发性内存硅智财将于联华电子两个28纳米先进制程平台上使用，分别为：适用于生产可携式装置产品系统单芯片的高介电质金属闸(High-k/Metal Gate) 28HPM；以及受消费性电子产品系统单芯片设计公司青睐的多晶硅(Poly /SiON) 28HLP制程。

联华电子28纳米制程的芯片闸极密度为40纳米制程的两倍。具成本效益的28HLP多晶硅(Poly/SiON) 制程，与业界其它28纳米多晶硅(Poly/SiON)制程相比，具备了更优异的效能及功耗上的提升。为配合系统单芯片设计公司不同的电源需求，此制程提供了多个电压选项：1.8V、2.5V和2.5/3.3V。而28HPM高介电质金属闸(High-k/Metal Gate)制程，则提供了临界电压选项、内存储存单元和降频/超频功能，有助于系统单芯片设计公司大幅提高产品整体效能和电池续航力。

Kilopass公司与联华电子的合作关系开始于2010年的联华电子40LP制程，现已完成推出。随着客户对其它制程需求的增加，两家公司决定进一步于130/110/55nm制程平台上提供反熔丝嵌入式非挥发性内存(anti-fuse embedded NVM)，也已在2012年完成。此次的新协议案，则将双方伙伴关系扩展到28纳米制程平台。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.umc.com。 (金百佳)