【产通社，4月27日讯】Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代号：VSH）官网消息，其新款N沟道TrenchFET功率MOSFET采用热增强型PowerPAKSO-8封装，在10V和7.5V下的导通电阻低至18mΩ和23mΩ，同时保持低栅极电荷，在10V和7.5V下的典型电荷为31nC和22.8nC。SiR872ADP适用于DC/DC转换器、DC/AC逆变器，以及通信砖式电源、太阳能微逆变器和无刷直流电机的升压转换器中的初级侧和次级侧的同步整流。在这些应用当中，SiR872ADP的导通电阻比前一代器件低45%，可降低传导损耗，提高系统的整体效率。

产品特点

SiR872ADP在10V和7.5V下导通电阻与栅极电荷的乘积分别为563mΩ-nC和524mΩ-nC，该参数是DC/DC转换器应用中表征MOSFET的优值系数(FOM)。器件的FOM可减低传导和开关损耗，从而提高总的系统效率。这款MOSFET的性能高于很多前一代器件，有可能减少总的元器件数量，并简化设计。

SiR872ADP进行了100%的Rg和UIS测试，符合JEDEC JS709A的无卤素规定，符合RoHS指令2011/65/EU。这款器件属于近期发布的100V SiR846ADP和SiR870ADP，以及80V SiR826ADP ThunderFET MOSFET之列，让设计者可以从采用PowerPAK SO-8封装的多款中等电压器件中进行选择。借助ThunderFET、TrenchFET Gen IV和E/D系列MOSFET，Vishay能够满足所有功率转换应用的需求。

供货与报价

新款MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十三周到十四周。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.vishay.com。