【产通社，3月18日】根据外电报导，美国科技大厂Micron Technology的新型高密度快闪记忆芯片BA NAND（区块抽象化NAND）将于下半年正式出货。该款新式芯片内建内存控制器，业者无须再重新进行芯片设计即可兼容。

Micron表示，新式NAND芯片容量分别为8GB与16GB，主要用于个人媒体播放器及其它应用产品，采用的是领先业界的34纳米制程技术。

公司NAND市场开发总监Kevin Kilbuck说，这款晶片最大的特色，就是移除了错误校正、区块信息管理和平均磨损算法等损耗CPU资源的处理程序，因此应能有效提升设备效能，相关业者也无需升级CPU即能与之搭配。

ZiiLABS市场营销总监Tim Lewis即表示：“对于许多嵌入式系统而言，能否透过最新一代的NAND快闪记忆体技术最佳化应用极为重要。”