【产通社，1月14日】综合媒体报道，集邦科技统计显示，去年9月至今年1月间，全球最新的投片量已减产22%以上，其中台湾减产幅度高达55%，加上实行有限度的出货策略，自去年12月起已出现价格反弹的讯号，首先现货市场DDR2 1Gb eTT颗粒价格自12月中大举反弹至今逾75%，合约价亦自1月上旬止跌回稳，待PC OEM需求回升后即可得以反弹。

随着DRAM颗粒价格自2007年开始滑落至今，DRAM颗粒价格已经面临到将近连续七季的亏损，全球DRAM厂在2007年及2008年合计亏损约100亿美金，其中台系厂约占42亿美元，分析其主要的原因，当时DRAM厂普遍对市场的内存需求呈现过度乐观的看法，在2006年间大举兴建12吋DRAM厂，产能于2007年开始陆续开出，造成供过于求导致价格急速下跌至今。

根据集邦科技统计，自2007年第一季至2008年第三季为止，全球12吋DRAM厂成长近56%，即使期间八吋厂亦消化了57%左右，但整体平均产能仍成长了21%。纵使PC OEM厂在2008年第二季大举将平均内存需求拉至2GB之上，但仍赶不上DRAM厂间的扩厂速度，随着去年下半年景气急转直下，金融风暴终成为压死DRAM厂的最后一根稻草。

根据集邦科技统计去年9月至今年1月间的最新的投片量，全球减产已逾22%，其中以台湾减产幅度最高达55%，显见DRAM厂自9月宣布减产后每月仍不断持续减少投片量已超过当初对外所宣称的比例，带动现货市场DDR2 1Gb eTT颗粒价格自12月中大举反弹至今逾75%。

现货市场方面，DDR2 1G eTT颗粒价格自11月中跌破1美元之后，价格一路下滑至最低0.59美元，后因减产效应与实施有限度出货，价格自12月中开始上涨，并于1月7日正式再度站上1美元颗粒单价。上周(1/6-1/13)DDR2 1Gb eTT从0.92美元上涨至1.01美元，涨幅约10%，DDR2 667Mhz 1Gb亦从0.78美元上涨至0.85美元，涨幅约9%。由市场面来观察，随着减产效应浮现与母厂实施控货，因中国新年将近，之前热络的交易将随之年节封关暂时告一段落，并静待年后现货市场后续的发展。

在合约市场方面，1月上旬的合约价终于呈现持平的走势，DDR2 667Mhz 1GB与2GB平均价格落在8与16美元，终止了自去年7月以来价格下滑近64%的跌势；由市场面来观察，随着中国新年将近，欧美市场必有补货的需求加上DRAM原厂方面有意将颗粒价格拉至1美元之上，将会控制整体市场的出货数量，更增添1月下旬的合约价反弹的契机。