【产通社，1月7日】台湾媒体报道，DRAM与Flash减产效应持续发酵，今天现货价同步大涨。DDR2 1GbeTT均价大涨11.73%，并重登1美元大关之上，达1.03美元；8Gb MLC现货均价今天也大涨20.16%。

根据集邦科技调查，动态随机存取内存(DRAM)部分，DDR2 1Gb eTT均价今天大涨11.73%，已弹升至1.03美元，是去年11月11日跌破1美元大关后，首度重回1美元之上。

DDR2 1Gb品牌颗粒现货均价今天也上涨6.68%，达0.83美元。

至于储存型闪存(NAND Flash)部分，市场主流的8Gb MLC现货均价今天更大涨20.16%，重回2美元关卡之上，达2.05美元。16Gb MLC与32Gb MLC现货均价今天也分别上涨8.57%及9.33%。

业者表示，DRAM与Flash现货价强劲反弹，主要是减产效应发酵所带动，有助于减缓营运压力。

随着现货价强弹，1月上旬Flash合约价也同步出现大涨走势，其中，8Gb MLC均价大涨19.66%，16Gb MLC均价也上涨20.31%，32Gb MLC均价上涨10.48%。

DRAM厂也纷纷酝酿调涨合约价，估计涨幅将约6%至7%。