【产通社，12月28日讯】尽管2020年全球半导体集成电路（IC）市场不寻常且充满挑战，2021年将会逐渐好转。IC Insights发表的McClean Report预计，2021年全球IC市场年增长可望达到10%以上。

IC Insights表示，在全球经历了Covid-19灾难后，2021年行业在产能开出、产品售价、资本预算和工艺技术等方面都有提升。其中，中国将在半导体舞台扮演重要角色。

DRAM存储器方面，三星、SK海力士、美光等三大存储器公司将在2021年大规模量产下一代DDR5。DDR5 DRAM的传输速率可高达6400Mbps，是DDR4DRAM3200Mbps的2倍。另外，DDR5的工作电压为1.1V，这比DDR4的1.2V降低了9%。而且，DDR5的最大容量为64Gb，这部分则是DDR4产品的4倍。
　　
TrendForce集邦咨询预测，DDR5在PCDRAM市场中的市占率，将从2020年的不到1%，成长到2021年的10%，足足是10倍以上的成长。尤其是DDR5产品在服务器DRAM市场中，其市占率也将从2020年的4%，提升到2021年的15%。
　　
NAND Flash闪存方面，美光在2020年11月已开始量产全球首批176层堆叠的NAND Flash存储器，SK海力士也在2020年12月7日经完成176层堆叠NANDFlash快闪存储器的开发，三星方计划2021年发布第7代V-NAND快闪存储器。理论上，第7代V-NAND快闪存储器最多可以达到256层堆叠的能力。
　　
截至2020年第3季为止，三星电子以33.1%的市占率在全球NANDFlash快闪存储器市场中排名第一，铠侠则以21.4%位居第2，西部数据的市占率则为14.3%，位居第3，SK海力士和英特尔的市占率则分别为11.3%和7.9%。
　　
业界预期，NANDFlash快闪存储器市场的成长将比DRAM市场更快，原因在于智能手机向5G发展，以及资料中心的服务器对SSD的需求所造成，这使得NANDFlash快闪存储器市场到2024前将以每年30%到35%的速度增长，相较于DRAM的年平均成长率为15%到20%而言，NANDFlash快闪存储器市场的成长速度快很多，也使得厂商更加注重NANDFlash快闪存储器市场的发展。（Jack Zhang，产通数据）