【产通社，5月23日讯】无畏新冠肺炎疫情的肆虐，长江存储4月13日研发成功128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070），同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），并表示“这将开创一个崭新的商业生态。”

那么，与英特尔（Intel）、三星、美光（Micron Technology）、SK海力士相比，X2-6070在全球到底处于哪个层面？

长江存储表示，作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量，已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

得益于Xtacking架构对3D NAND控制电路和存储单元的优化，长江存储64层TLC产品在存储密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表现，上市之后广受好评。在128层系列产品中，Xtacking已全面升级至2.0，进一步释放3D NAND闪存潜能。

在I/O读写性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps（Gigabits/s）的数据传输速率，为当前业界最高。由于外围电路和存储单元分别采用独立的制造工艺，CMOS电路可选用更先进的制程，同时在芯片面积没有增加的前提下Xtacking 2.0还为3D NAND带来更佳的扩展性。

目前，长江存储已成功研发128层两款产品，为今后3D NAND行业发展探索出一条切实可行的路径。


三星、美光、SK海力士已在2019年发布128层3D NAND闪存芯片


早在去年底，三星、美光、SK海力士均发布了128层3D NAND闪存芯片，已经将NAND闪存的堆叠之争推进到了新的层级）——128层。

2019年10月初，美光宣布第一批第四代3D NAND存储芯片流片出样。第四代3D NAND基于美光的RG架构，采用128层工艺，预计2020年开始商用。在“Mircon Insight2019”技术大会上，美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示，128层3D NAND如果被广泛使用，将大大降低产品每比特成本。

SK海力士也在2019年11月宣布开始出样128层3D NAND闪存产品，该产品不久将开始出现在最终用户设备中。一年前，SK海力士推出了96层3D NAND产品。

相比而言，三星的动作更快。2019年8月，三星即宣布推出首个100+层的新一代3D NAND闪存。据三星介绍，该产品采用“通道孔蚀刻”技术，使前代96层的堆叠架构增加了约40%的存储单元。同时，三星还优化了电路设计，使其可实现最快的数据传输速度，写入操作的数据传输速度低于450μs，读取速度低于45μs。

从进度表来看，128层3D NAND需要到2020年才能大量进入企业存储市场，逐渐成为主流。


英特尔144层3D QLC闪存SSD年底出货


英特尔非易失性存储解决方案负责人Rob Crooke本月初表示，其QLC SSD出货量已超1000万，而基于144层3D QLC闪存的SSD会在今年底出货，并且Intel准备在2021年内将整个SSD产品线都迁移到144层闪存芯片上。

英特尔的内存和存储产品部门现在拥有一个完全独立的NAND闪存技术开发团队，该团队与美光科技（Micron Technology）分拆后成为该公司的一部分，后者是IMFlash Technologies合资企业的一部分。

除此以外，Intel表示容量密度更高的PLC闪存（5bit/cell）也在紧张研发中，该技术应将密度提高25%。英特尔也即将推出其第二代3D X点存储技术。


探索出一条切实可行的路径


QLC是新一代3D NAND技术，降低了NAND闪存单位字节（Byte）的成本，更适合作为大容量存储介质。与传统HDD相比，QLC SSD更具性能优势。在企业级领域，QLC SSD将为服务器和数据中心带来更低的读延迟，使其更适用于AI计算，机器学习，实时分析和大数据中的读取密集型应用。在消费类领域，QLC将率先在大容量U盘，闪存卡和SSD中普及。 

由于存储芯片具有高度标准化的特性，且品种单一，较难实现产品的差异化。这导致各厂商需要在工艺技术和生产规模上比拼竞争力。因此，每当市场格局出现新旧转换时，厂商往往打出技术牌，以期通过新旧世代产品的改变，提高产品密度，降低制造成本，取得竞争优势，这也是NAND厂商近期拼杀QLC技术的主因。

产通社产业分析师杨棋表示，单从技术上看，长江存储的NAND闪存与国际大厂处于同一世代。但考虑到基础工艺和量产能力，中国存储产业仍然弱小，实际差距远不能“世代”表示，量产成品率、产能爬坡速度等才是真正的拦路虎。（Jack Zhang，深圳产通互联网）