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派恩杰半导体已布局14项碳化硅与氮化镓核心专利
2019年6月8日    
【产通社,6月7日讯】6月5日“筑巢引凤,融合创新”全景凤凰营·湾区科创大赛启动仪式暨大赛首场海选项目路演在杭州市滨江区全景网杭州路演中心举行,派恩杰半导体(杭州)有限公司(PN JUNCTION SEMICONDUCTOR)创始人、总经理、技术总监黄兴在本次路演中介绍,公司已布局核心专利14项,其中已授权3项,另掌握碳化硅与氮化镓的全套工艺菜单等重要技术秘密。 

派恩杰半导体是杭州滨江区引进的第三代半导体功率器件设计公司,坐落于海创基地,被纳入“杭州国家‘芯火’创新基地孵化企业”,签约杭州滨江区“5050”计划。派恩杰产品有碳化硅三极管,碳化硅二极管;氮化镓三极管等,其广泛应用于新能源、智能电网、物联网、电力电子等领域。成立仅6个月,完成全球第一款可兼容驱动650V氮化镓功率器件。
 
派恩杰目前生产制造和封装测试采用委外代工模式,与代工厂一同实现产品开模量产;同时,派恩杰将投入核心研发设备和建立应用开发实验室,实现对研发能力的持续提升和完善对市场客户的需求应对。

查询进一步信息,请访问官方网站http://www.pnjsemi.com,以及http://rs.p5w.net/html/100621.shtml。(robin, 张底剪报)    
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