【产通社，1月18日讯】ABI Research关于大功率射频有源器件市场的研究显示，随着4-18GHz氮化镓（GaN）器件的普遍应用，在微波射频功率半导体器件方面的开销将持续增长，预计微波射频半导体市场规模有望在2019年之前超过3亿美元。其中，点到点通信、卫星通信、各种雷达和新型工业/医疗应用都将从这些大功率GaN器件的应用中获益。

ABI研究公司市场调研总监Lance Wilson表示，“当砷化镓（GaAs）器件目前成为微波射频功率领域的主流的时候，GaN器件将促进增长。GaN器件能在更高电压和功率下工作，而这是GaAs器件所难以实现的。”

微波射频功率半导体是指输出功率超过3瓦、工作频率在4-18GHz的微波射频功率半导体器件。除了上述领域的应用之外，微波GaN器件终于达到了能对行波管构成严峻挑战的性能水平，这将使历史上使用后者的领域能够进行新的设计。

该研究是ABI Research不断跟踪射频功率工业领域主要变化的成果。该研究涉及对六个主要领域（C波段GaAs器件、C波段GaN器件、X波段GaAs器件、X波段GaN器件、Ku波段GaAs器件、Ku波段GaN器件）以及28个应用子领域的分析。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.abiresearch.com。