【产通社，11月28日讯】Yole Developpement调研结果显示，无论GaN衬底在激光器、LED、功率电子器件的应用如何发展，GaN衬底市场份额扩展的关键驱动力将主要来自LED。

随着LED技术的发展，LED照明目前已经优于灯泡和灯管，取代传统照明已经非常明朗。GaN衬底作为蓝宝石或者Si之后的衬底，将进一步大大提升LED的性能。当前的主要障碍在于GaN衬底的价格。如果GaN衬底的供应商能够给出满意的价格，GaN衬底在半导体照明的应用市场将一发不可收。预计到2020年，基于GaN衬底的应用市场初步形成规模，但是2英寸GaN衬底的市场将仍然占主导地位。

现在所有商业化的GaN衬底都是用HVPE方法制备的，氨热、助熔剂方法尚未有产品，例如：
  ·住友金属、日立电缆、三菱化学、NGK、古河机械、AETech等等日本厂商；
  ·苏州纳维、广东中镓等中国厂商；
  ·加州大学圣巴巴拉分校、Sorra、Kyma、Sixpoint材料、Goldneye等美国厂商；
  ·Ammono、SaintGobain、Lumilog、Unipress、Freiberger等欧洲厂商。

其中，日本厂商的市场占有率达到87%以上，其余国家的GaN衬底公司仍然处于小批量生产或者研发阶段。

Yole报告认为，尽管20%的功率电子器件厂商开始拓展基于GaN的器件，而且GaN衬底确实极大地提高了器件的性能，除非4英寸GaN衬底的价格达到1500美元，否则很难GaN衬底很难在功率电子器件领域取得优势，光电器件仍然是其主流应用市场。
 
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