【产通社，8月3日讯】IC Insights资料显示，2012在中国大陆生产的IC市场值达810亿美元，但是生产值只占其需求值的11.1%，至2017年也大约只有约三个百分点的增加，达到14.4%比例而已。

预估从2012年至2017年于中国大陆境内生产之IC量，将出现非常强劲的的成长，五年之平均年复合成长率为17.6%。主因在于2012年之前，于中国大陆生产之IC只有缓慢成长，于2012年仅仅只有89亿美元。

根据统计，2012年SK海力士、中芯国际、英特尔于中国大陆生产IC市场值为前三强。其中，SK海力士之中国大陆工厂是其任何晶圆厂中产量最大的。在2012年，英特尔继续在大连提升其300mm晶圆厂，未来几年可望持续提升中国大陆的IC生产量。根据研究这座晶圆厂目前拥有每月3万片的300mm晶圆，而其最大产量为每月5万2千片晶圆。

在2012年初，三星已经获得韩国政府的批准，可以在中国大陆西安兴建一座300mm晶圆制造工厂以生产NAND闪存。三星的晶圆厂在2012年9月开工建设，预计在2014年上半年将开始生产。该公司总投资额为70亿美元，第一阶段投资额为23亿元。一旦完工后，这座晶圆厂将采用10至19奈米制程技术生产NAND型闪存，随着中国大陆成为智能型手机最大市场，三星将能发挥一定成本效益。

如果中国大陆IC市场值于2017年时上升到200亿美元，也只有占全球IC市场值3591亿美元的5.6%比例。即使增加许多中国大陆晶圆代工生产的IC销售额（因为许多中国IC晶圆代工厂商出售自己的芯片给公司，又重新出售这些产品的电子系统生产商），于中国大陆生产之IC市场值仍然占全球IC市场10%不到。（编辑：Lisa WU）