【产通社，8月17日讯】IBM日前宣布它已经成功开发出多阶相变内存(PCM)。相变内存是闪存的潜在竞争对手。

IBM表示，“IBM Research的科学家已经展示了一项相当新的内存技术，亦即相变内存(PCM)，它可以在相当长的时间内储存多个数据位在每一单元(cell)之中。这项重大进展可以开发出成本更低、更快速、更耐用的记忆体应用，使得它能适用在手机与云储存等消费者装置，以及高效能应用如企业数据储存。”

这项新技术的读写速度比闪存快上一百倍，IBM指出，而且使用寿命更长。先前的相变内存系统每一单元只能储存一位；IBM表示，藉由调整写入程序时的能源、同时监控单元的正确状态，它在每一单元可以储存两位。另一个问题是，由于状态会随时间慢慢改变导致数据遗失，现在也可透过将数据以位群组的方式编码来解决。

IBM表示，这项新技术将可在2016年付诸应用。自从1960年代起，许多公司一直在进行相变内存的研究，其中三星、英特尔与日立在过去十年都有发表其研究成果。然而，虽然其中一部分已经进入生产，但是这项技术目前比起闪存并没有太多优势。