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日本地震刺激三星内存最高涨22%
2011年3月16日    

【产通社,3月16日】闪存芯片调研机构集邦科技旗下DRAMexchange的现货价格显示,动态记忆存储(DRAM)芯片、闪存(Flash)芯片及存储卡价格昨日上扬。这表明,日本大地震的危机效应,开始在IT供应链上游释放,虽然它更像一种心理恐慌的蔓延。
  
其中,韩国两大巨头三星、海力士一款16G产品现货颗粒分别涨了22.09%、13.81%,创几个月来最大涨幅。
  
存储类芯片价格变动,直接原因是地震发生后,东芝一座工厂的停产。由于它是全球第二大闪存芯片巨头,NAND闪存(是一种比硬盘驱动器更好的存储方案,在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显)占全球市场的1/3,业内担心下游终端厂家将遭受冲击。

存储类芯片应用覆盖了手机、MP3、数码相机以及其他多种移动终端。比如,苹果iPad2就使用了东芝闪存。
  
集邦科技强调,即使没有地震,由于目前旺季已来临,上游价格本来就有提升空间,只是地震刺激相关企业积极备货,从而推动价格上涨。

    
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