【产通社,9月29日】第二季度DRAM制造成本近四年来首次上涨,令人担忧内存产业的生产费用。iSuppli公司的内存价格走势与预测显示,2010年第二季度每Gb的平均DRAM生产成本上升到了2.03美元,第一季度是2.00美元。虽然环比涨幅只有1.2%,但与历史趋势明显不符。自2005年初以来,DRAM制造成本平均每季度下降9.2%。DRAM生产成本上次出现环比上涨是在2006年第三季度。

生产成本在第二季度下降之前,第一季度生产成本的环比下降幅度已经低于1.7%左右的长期平均水平。之前两个季度的环比下降幅度都略大于3%,第二季度突然改变了这种趋势。
iSuppli公司的市场情报研究显示,以2010年第一季度作为起点,如果生产成本以历史速度下滑,则第二季度生产成本应该比实际水平低21%。
总体来看,DRAM制造成本九个月以来没有以正常速度下降,而且有人担忧最近三个季度成本下降乏力。
上涨理由:确定背后因素
第二季度DRAM生产成本上升,可以追溯到业内两大厂商:台湾南亚科技与日本尔必达。南亚科技的成本上涨了4%,而尔必达的成本上涨了11%。
就南亚科技而言,该公司可以把成本上涨归因于从沟道技术向堆叠工艺转变的过程遇到困难。在这个过程中,产品良率受到影响,单位比特的生产成本因此上升。iSuppli公司认为,一旦南亚解决其DRAM技术面临的良率挑战,上述趋势将随之逆转,其生产成本在接下来的几个季度有望大幅下降。
尔必达目前的问题则可归因于成本结构的变化。该公司把更多的制造业务外包给其它公司,导致其成本结构发生变化。iSuppli公司的半导体研究显示,第二季度尔必达直接从台湾合作厂商购买DRAM,价格高于自产,但由于其产能有限,所以尔必达没有别的选择。
但是,像南亚科技一样,在理顺成本结构之后,尔必达的成本也将下降。
沉浸光刻是必需掌握的技术
iSuppli公司认为,一旦整个产业作出其它必要调整,尤其是与半导体沉浸光刻相关的调整,生产成本应该会明显下降,再度符合长期平均水平。在向新制程的过渡中,沉浸光刻是必需掌握的技术。
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