【产通社，7月26日】半导体产业进入摩尔定律（Moore's Law）后期，3D IC技术成为延伸摩尔定律的重点技术之一。虽然3D IC具有效能佳、高密度和异质整合等优点，但目前挑战不少，包括材料、设备等皆需要同步改革，新的产业链正逐渐形成，以创造商机。

业内人士表示，3D IC是由不同功能的异质性芯片通过TSV互连技术进行连结的。TSV技术的阻值较低，这比载板工艺好。虽然TSV技术是往上堆栈，但芯片厚度不见得会传统技术厚。以此增加密度及带宽，加快传输速度，可以减少芯片电耗，进而达到成本降低的效果。

虽然3D IC具有不少优点，并视为摩尔定律向下延伸的半导体新技术，但目前仍存在不少挑战性。以TSV互连技术为例，晶圆要更加薄化，如何处理如纸薄的晶圆，所以承载的载板和工具都是需要更新。另外，TSV通孔的形成(Via Forming)与导电金属的注入，各家业者也都没有统一。

另外，在芯片堆栈与结合(Bonding)部分，可分为Die-to-Die与Wafer-to-Wafer，其中在Die-to-Die之间的连结会用到micro bump，这也是新技术。因为晶圆薄，封装技术也有其难度，而测试也会遇到问题，以前可以直接进行晶圆测试(CP)，最后才会做成品测试，但是3D IC有了高度，测试技术就和以往不同，还有已知良品(KGD)的问题，如何在晶圆测试就能精准找出不良品，这便成为测试厂的挑战。

整体而言，3D IC基于延伸摩尔定律来出发，成为带动半导体成长的驱力，未来包括材料、工具和设备都需要改变，将会带动供应链改变，进而创造新的商机。3D IC最快在2012-2013年就有产品应用。