【产通社，4月17日】台湾媒体报道，台积电（TSMC）在美西时间13日在加州圣荷西市举行技术研讨会中宣布，将跳过22纳米制程，直接发展20纳米制程，预定可在2012年下半年导入生产。台积电强调，这个考虑是基于“为客户创造价值”而作的决定，提供客户一个更可行的先进制程选择。

这次技术研讨会有1500位客户及合作厂商代表参与。台积电公司20纳米制程将比22纳米制程拥有更优异的闸密度(gate density)以及芯片效能/成本比，为先进技术芯片的设计人员提供了一个可靠、更具竞争优势的制程平台。此外，20纳米制程预计于2012年下半开始导入生产。

台积电公司20纳米制程系在平面晶体管结构制程(planar process)的基础上采用强化的高介电值/金属闸(high-k metal gate)、创新的应变硅晶(strained silicon)与低电阻/超低介电值铜导线(low-resistance copper ultra-low-k interconnect)等技术。同时，在其他晶体管结构制程方面，例如鳍式场效晶体管(FinFet)及高迁移率(high-mobility)组件，也展现刷新记录的可行性(feasibility)指标结果。

从技术层面来看，由于已经具备创新微影技术及必要的布局设计能力，台积电公司因此决定直接导入20纳米制程。

台积电指出，在先进制程技术的开发上，已经面临一个关键时刻，也就是必须主动积极地考虑其投资报酬率，并且需要跳脱单单考虑技术层面的思维模式；必须透过与客户密切合作以及在资源整合与优化方面的创新，同时解决来自技术及经济层面的挑战。