【产通社，7月2日】持续低迷的内存产业景气让所有的供货商面临亏损，奇梦达(Qimonda)与Spansion已经分别申请破产。谁会是下一个？SEMI网站消息，产业分析师在Memcon研讨会上表示，“内存产业的经营模式面临崩解，解决之道是更理性的行为以及整并”。

产业观察家现在怀疑台湾的众家DRAM制造商可能撑不下去，甚至认为就连Elpida、Hynix与Micron等大厂也命在旦夕。不过也有人预期，内存产业将在09年第四季或2010年第一季复苏；其它人则不能确定，因为市场需求与内存平均销售价格(ASP)仍然疲软。

内存产业的低迷时期已经持续多年，该市场衰退的原因包括需求不振、价格疲软以及供应过剩。眼前的萧条情况没什么特殊之处，需求水平仍然低落，而且最近刚有过一波无节制的、不理性的产能扩充潮发生，尤其是在台湾。

新一代内存技术成救身符

不过，内存产业还有一线生机，新一代内存技术已经迈入成熟阶段，特别是服务器等系统应用的储存级内存(storage-class memories)；所谓的储存级内存，号称是可作为处理器与系统磁盘之间I/O间距(gap)之桥梁的新一代组件。

储存级内存包括部份(非全部)所谓的通用内存(universal memory')，例如FRAM、MRAM、相变化(phase-change)、RRAM等新技术；不过这些新一代技术大部份距离实现还有数年，有人甚至怀疑这些新技术是否能真的脱离原型阶段进入量产。

因此产业顾问公司JLC Associates总裁Jim Cantore认为，大多数的新内存技术恐怕暂时难以摆脱窘境，而现有的内存技术如DRAM、NAND与NOR，将继续扩张它们的市场版图并开创新应用。

新一代内存技术的开发者还在积极开发产品，他们也有很好的理由──市场研究机构Web-Feet Research执行长Alan Niebel估计，储存级内存市场将在09年由0达到5,000万美元，甚至在2015年扩张到60亿美元。

在该领域也有不少厂商，Unity Semiconductor就是其中之一，该公司的CMOx技术是以一种称为导电金属氧化物(conductive metal oxides)的新材料为基础，据说能导致离子运动；利用该技术，Unity Semiconductor开发出一种被动式可重复读写交叉点内存数组(passive rewritable crosspoint memory array)，号称在内存单元内不需要晶体管。

另外还有一家新创公司Qs Semiconductor不久前神秘兮兮地出现，说他们正在开发一种以碳硅(carbon-silicon)或碳化硅(silicon carbide，SiC)材料为基础的、采用硅基板的非挥发性内存。

相变内存的应用将从手机开始

内存大厂Numonyx与Samsung Electronics不久前宣布，将连手开发相变化内存技术，预计今年可订出共同规格，并在2010年推出产品。

新组件也需要新的标准。Numonyx表示，以JEDEC 42.6为基础的LPDDR2接口将成为新一代1Gbit、45nm制程内存的标准，目标应用于手机、嵌入式内存与高阶运算装置。手机大厂Nokia也支持该标准，并计划在手机内使用相变化内存技术，这也是促使Numonyx与Samsung策略联盟的主因。

传统内存前景复杂

至于传统内存技术的前景，状况则有些复杂。分析师表示，包括ARM、Denali、Synopsys、Virage等内存接口IP供货商的业绩，目前已看到好转。NOR/NAND闪存市场预计在09年达到185亿美元规模，较08年衰退9.5%。

Web-Feet的Niebel预期，整体内存产业的衰退情况将在今年第四季或明年第一季终止，内存价格已经趋于稳定，多个应用领域也开始看到微幅需求成长。

JLC的Cantore补充指出：“NAND市场的恢复速度会比DRAM市场来得快。”

在DRAM市场部份，Lazard Capital Markets分析师Daniel Amir表示，DRAM价格平稳，若状况持续，DRAM厂商可能会开始提升产能；目前整体DRAM库存水位也在低点。