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Memristor忆阻器将替代DRAM成第四种基本电路元件
2009年6月8日    

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【产通社,6月7日】大多数人只知道,组成电路的基本元件只有三种类型:电容器(Capacitor),电阻器(Resistor)和电感器(Inductor)。现在,一种称作忆阻器(Memristor)的新型元件正在开发中,并有可能替代DRAM,成为第四种基本电路元件,其用途将与LCR元件一样普及。

据报道,美国国家标准和技术研究院 (U.S. National Inst itute of Standards and Technology;NIST) 目前正在进行软性忆阻器 (Flexible memristor)的开发研究,希望能为内存科技打开新的大门。这项技术虽然相当创新,但其实去年已经先由惠普(Hewlett-Packard)对外展示它灵活的形式,让外界为之惊艳。

NIST日前表示,忆阻器(memristor)是以防晒乳与牙膏的原料─二氧化钛制造而成,是种轻薄又灵活的透明聚合物。这项新开发的忆阻器能在不到10伏特的电流下运作,即使电力被切断也可维持记忆能力,还能在伸缩逾4000次的情况下,仍能有效运作。

Nist研究员Nadine Gergel-Hackett在一份声明中指出,我们希望能在电子产品被广泛运用的当下,创造一种软性且灵活的内存组件,进一步推动软性电子产品的发展和计量学。

现在,NIST的研究小组用一种相当便宜的技术就能制造出忆阻器,他们透过二氧化钛在旋转时“溶胶凝胶法”的液态形式,把它摆放在透明的薄片上,然后让聚合物在室温下变干。研究人员在一份报告中指出,这样制造出来的忆组体能保持非挥发性长达14天。

Nadine Gergel-Hackett更指出,由于忆阻器能够从液体中被制出,未来具有很大的发展潜力,说不定未来忆阻体的制造过程能变得简单又便宜,就像我们目前把它印在透明的幻灯片上的做法一样。

其实,有关忆阻器的假设早在70年代就已经被学者提出,但一直到2008年才由惠普的研究人员真正证明它的存在。由于忆阻体在没有电流通过下,还能记忆先前通过的电量,未来就不必担心计算机因为重新开机而丧失数据。这项技术也进一步提升芯片性能,更能让芯片体积变得更加轻巧,甚至取代现今所使用的动态随机存取存储器(DRAM)。

NIST强调,忆阻器能够为芯片带来更多发展空间,不仅适用各项科技发领域,甚至可用于监测血糖和心跳的医疗用途等。

    
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