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SAMSUNG和SanDisk达成Flash芯片专利授权协议
2009年5月30日    

【产通社,5月30日】综合外电报道,芯片供货商三星电子(SAMSUNG)和新帝(SanDisk)在经过长时间的协商后,终于达成芯片专利授权协议,以避免未来在闪存(Flash)领域遭受讼诉威胁。

本项交易拓展了双方目前的授权协议范围,且让三星电子有权使用新帝的重要专利。双方并未透露财务条款仅表示,固定费用和权利金费率约为现行协议的一半,目前的协议将于8月14日到期。

本次协商的授权范围,还包括新帝正在开发的X3和X4技术,该技术可增加储存容量和降低NAND品的成本。新协议的授权项目之一,即让三星电子将有权可以使用X3和X4的技术,但对于新帝正在开发的另一项技术3-D memory,然并未得到授权。

近几年权利金已有下降趋势。去年三星电子约付给新帝3.5亿美元,今年预期为2.5亿美元,依据双方公司透露的资料预估,自2010年开始,三星电子1年约支付新帝1.25亿美元。

分析师表示,虽然新帝收到的权金利减少了,但本项交易可使双方不再担心会有互告的情形发生,因为这项交易可使双方的关系更为和谐。

    
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