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| 第 1 楼 |
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 中科院半导体所集成技术中心对外加工项目表 |
中国科学院半导体研究所（Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences, ISCAS）官网消息，其通过成果转化、引入投资、建立高技术合资企业等方式，形成了与高技术产业结合的链路。创建12个高技术合资公司，总注册资本9.49亿元，其中研究所获得了近1.2亿元的股权。参股公司有苏州中科半导体集成技术研发中心有限公司，扬州中科半导体照明有限公司，江苏中科四象激光科技有限公司，江苏中科大港激光科技有限公司、河南仕佳光子科技有限公司，中科宏微半导体设备有限公司等。
研究所高度重视成果转移转化工作，与北京、天津、江苏、广东、河南、河北等地方政府和企业共建了二十多个联合研发平台，积极为企业和区域经济社会发展服务。近五年以技术入股、专利许可、技术授权等方式转让专利和专有技术32项，技术开发合同152项，技术合同及转让收入3.9亿元。
序号 工艺（设备）名称 描述（工艺能力）
1 电子束曝光 纳米级图形光刻；分辨率2nm；最小线宽50nm；拼接精度20nm
2 紫外光刻 具备匀胶、曝光、显影、烘烤、去胶等全套光刻工艺手段；可以双面曝光；可刻各种规则和不规则的基片，最大基片尺寸6"，分辨率0.5μm；最小线宽1μm
3 匀胶（SUSS） 可以对规则和不规则的基片涂胶并保证较厚均匀没有厚胶边；最大基片直径6英寸，转数1000-5000rpm
4 等离子去胶 使用氧等离子体对光刻后残胶进行去除，也可对其他无污染有机物进行刻蚀或表面处理；
工作频率：2.45GHz；
最大功率：1000W；
最长工艺时间：9999秒
5 直写式光刻 光刻版制备，曝光面积：5×5英寸，最小图形尺寸2um以上
6 SiO2、SiN刻蚀
刻蚀速率：＞250nm/min；
选择比：光刻胶＞4:1；多晶硅＞15:1；
均匀性和重复性：＜±5%；
侧壁与底面夹角：＞88°
7 SiC刻蚀
刻蚀速率：＞200nm/min；
选择比：Ni＞30:1；
侧壁与底面夹角：＞80°
8 深硅刻蚀(ICP)
最大刻蚀深度大于600微米；刻蚀均匀性±<2.5%；常规多步硅刻蚀速率为5 到10 μm/min，最高可达18μm/min； 硅/二氧化硅刻蚀选择比：>150:1，硅/光刻胶刻蚀选择比：>50:1，侧壁与底面夹角：90°±1°
9 金属干法刻蚀 可以进行Al、Ni、Cr、Cu等多种金属刻蚀
10 Ⅲ-Ⅴ族ICP
刻蚀GaN、GaAs、InP等多种化合物及多元化合物；
二氧化硅掩膜刻蚀选择比：4:1~10:1；
侧壁与底面夹角：>85°
11 热氧化
在硅片上高温氧化形成SiO2薄膜；可以采用干氧、湿氧或干湿氧结合的方式；质量优异，厚度均匀，无针孔和空隙
12 LPCVD多晶硅
低压化学汽相沉积多晶硅膜，可以进行B、P掺杂
13 LPCVD SiN
低压化学汽相沉积氮化硅膜；片与片间厚度均匀性：<3%；片内折射率均匀性：<0.03%
14 离子束溅射镀膜
制备光学介质膜，成膜质量高，粘附性好，有SiO2、Ta2O5、Al2O3、TiO2、ZrO2等多种靶材；
膜厚精确度：﹤±1.5%；中心波长膜厚度均匀性：3英寸范围内﹤±0.5%；增透膜：对关键激光波长，如633nm、1300nm等；反射率﹤0.25%；低损耗：﹤100ppm；
备有专业的光学薄膜设计软件
15 非掺杂PECVD(STS设备)
可沉积SiO2厚度：十几纳米~十几微米；
可以淀积低应力SiN和SiON等介质膜；
淀积速率：> 150nm / min (SiO2)；>100nm/min (SiN)；
均匀性和重复性：<±5%
16 非掺杂PECVD(AXIC设备)
沉积SiO2薄膜
17 掺杂PECVD
可以淀积掺Ge SiO2、BSG、PSG和BPSG；
结合退火后，淀积厚度超过20um
18 电子束蒸发(Innotec)
一次可蒸镀12片4英寸片或42片2英寸片；可蒸金属：Cu、Cr、Ni、Ti、Ge、Al、Ag、Sn、In、Zn、Pd、Au、Pt等
19 电子束蒸发(Denton)
每一次工艺可以蒸发四种不同金属材料；Lift-off工艺一次可以蒸镀18片2"圆片；Step-coverage工艺一次可以蒸镀36片2"圆片；工艺的均匀性和重复性±5％；
20 电子束蒸发(沈科仪)
一次可蒸镀22片4"片；
可蒸金属：Cu、Cr、Ni、Ti、Ge、Al、Ag、Sn、In、Zn、Pd、Au、Pt
21-22
磁控溅射-丹顿设备
主要用于常规金属的溅射沉积。目前靶材有Ti、Pt、Au、Al、Co、Ni、Fe、Ni80Fe20、Cu、W、TiN、Ta、Cr、WTi。
片内及片间均匀性小于5%
磁控溅射-阿尔卡特
基片清洗
各种有机清洗，硫酸+双氧水，C处理等
23 KOH腐蚀 湿法腐蚀Si
24 TMAH腐蚀 湿法腐蚀Si
25 无机酸腐蚀 多种材料腐蚀
26 Lift-off剥离 金属蒸发剥离
27 离子注入
1) 可注入4"及以下尺寸的基片；
2) 杂质元素：硼、磷、砷；
3) 离子束能量：33keV–130 keV；
4) 4"片注入片间均匀性优于±0.5%；
5) 配有离子注入工艺仿真软件，可较快实现设计目标。
28 高能离子注入 可注入60多种元素，多倾角，衬底尺寸：4"及以下，加热温度：500oC及以下，注入能量：15keV–600keV
29 快速退火(灯) 低于1100℃，N2保护
30 普通退火 炉管式较长时间退火；最高温度1050℃。
31 兆声清洗 基片清洗和预键合
工作频率：2.45GHz；
清洗基片尺寸：2"和4"；
最长清洗时间：999秒
32 Wafer键合
具备阳极键合功能；
硅片厚度：0.10~4.0mm；
最大电压：2000V；最大电流：10mA；压力范围：0-5000mbar；最高温度：500℃；温度均匀性：±5K
33 砂轮划片
范围：硅片，玻璃片；
不大于4"圆片；
划切硅片的刀痕50um，玻璃及陶瓷片的划痕250um；
34 光纤阵列耦合
光纤参数：SM-9/125紧套光纤、光纤前端为磨锥透镜光纤，夹角=35º，r=7-8μm；调节精度：最小步长=0.05μm 6维调节（距离较近时2维调节）
35 耦合、测试
测试波长范围：1510-1640nm；最小步长=1.0pm
粘片及压焊
金丝压焊，
温度：室温~100℃；
金丝直径：25um；
焊点面积：100um×100um；
焊点最小间距：60um；
两个焊点最大距离：1cm；
样片最大尺寸：直径100mm
37 倒装焊
加热温度：最高400℃；
加热区尺寸：4×4cm2；
管芯最大尺寸：1mm2
38 聚焦离子束(FIB)
分辨率：6 nm；
沉积材料：W；
放大倍率：700-90,000倍；
样品尺寸：最大4"
39 扫描电镜(SEM)
主要用于研究各种样品的细微结构、表面形貌、成分分析，等。
加速电压:200V-30kV；
放大倍数:最大1,000,000×；
最高分辨率：1nm
40 台阶仪
进行台面高度测量
Z方向测量高度：1mm；
Z方向分辨率：0.1nm；
X、Y行程：150mm；
具备测量薄膜应力功能
41 椭偏仪
光谱型，具有自动多点面扫描功能；
光谱范围：195nm~1680nm；
入射角：45到90连续自动可变；
基片面积：150×150mm2
42 棱镜耦合仪
测量厚度1微米以上的介质膜。
光源波长：632.8nm；
厚度准确度：1nm；
折射率准确度：0.0001
43 分光光度计
全波长：175——3300nm
最小样片尺寸：20×20mm2
44 四探针测试
测量范围：电阻率：10-4－105Ω.cm 电导率：10-5－104 s/cm 方块电阻：10-3－106Ω/□
45 太阳电池测试
AM1.5 进口标准光源，可进行太阳电池IV/PV及量子效率测试，
光束尺寸：4"×4"；
光束均匀性：±5%
46 半导体测试仪
半导体器件IV测试，三组独立测量源，可以测量两端、三端和四端器件；该系统还配有脉冲信号源，可对存储器、探测器等进行测试。
47 低温探针台
可在4K至室温下测试器件的I-V/C-V等特性。
48 三维立体显微镜
放大倍率：108~17280；
平面重复性：100x: 3 sn-1=0.02μm；
Z方向显示分辨率：1nm
49 原子力显微镜(AFM)
150×150mm可观测范围，可编程的多点测试；
连续扫面最大面积：100×100μm；
高度最大起伏：11μm；
接触模式、敲击模式等多种功能模式可选用；
平面内精度优于0.5nm，高度方向精度优于0.2nm；
6"圆形真空吸盘，样品最大厚度可达40mm
50 光学显微镜
多台套奥林巴斯及尼康光学显微镜，配备相应控制分析软件，最高放大倍数1000倍。
51 工艺流程 各种半导体器件工艺流程设计与实施
查询进一步信息，请访问官方网站 http://www.semi.cas.cn/cgzl/201403/P020150416307521238099.pdf。 |
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还没呢
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2015-7-8 12:2
