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Vishay SiR850DP TrenchFET Gen III功率MOSFE

授权类型：

共享软件

运行环境：

软件大小：

推荐等级：

下载次数：

579

发布人：

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发布日期：

2008年10月23日 8时46分

软件主页：

http://www.vishay.com

下载权限：

产通币：0 产通币

下载地址：

软件备注：

Vishay新型25V SiR892DP和SiR850DPn通道MOSFET器件在4.5V时提供了4.2mΩ与9mΩ的导通电阻，在10V时为3.2mΩ及7mΩ，典型栅极电荷为20nC及8.4nC。新型功率MOSFET均采用PowerPAK SO-8封装类型。这些器件无铅(Pb)，无卤素，并且符合RoHS，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。

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