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| Vishay SiR892DP TrenchFET Gen III功率MOSFE |
| 授权类型: | 共享软件 |
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| 软件大小: | KB |
| 推荐等级: |  |
| 下载次数: | 772 |
| 发 布 人: | ----- |
| 发布日期: | 2008年10月23日 8时44分 |
| 软件主页: | http://www.vishay.com |
| 下载权限: | 产通币:0 产通币 |
| 下载地址: |
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| 软件备注: | Vishay新型25V SiR892DP和SiR850DPn通道MOSFET器件在4.5V时提供了4.2mΩ与9mΩ的导通电阻,在10V时为3.2mΩ及7mΩ,典型栅极电荷为20nC及8.4nC。新型功率MOSFET均采用PowerPAK SO-8封装类型。这些器件无铅(Pb),无卤素,并且符合RoHS,因此符合有关消除有害物质的国际法规要求 |
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