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Vishay SiR476DP TrenchFET Gen III功率MOSFE |
授权类型: | 共享软件 |
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运行环境: | |
软件大小: | KB |
推荐等级: |  |
下载次数: | 611 |
发 布 人: | ----- |
发布日期: | 2008年10月23日 8时42分 |
软件主页: | http://www.vishay.com |
下载权限: | 产通币:0 产通币 |
下载地址: |
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软件备注: | Vishay SiR476DP在4.5V栅极驱动时最大导通电阻为2.1mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.7mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对MOSFET的关键优值 (FOM),在4.5V时为89.25nC。  与为实现低导通损失及低开关损失而优化的最接近的同类竞争器件相比,这些规格意味着在4.5V及10V时导通电阻分别低32%与15%,FOM低42%。更低的导通电阻及栅极电荷可转变成更低的传导损失及开关损失。 |
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