肖特基(Schottky)二极管具有低正向电压降和显著的成本优势,自然成为MR16 LED灯驱动器多种不同参考设计中交流电桥式整流的标准器件。Diodes公司(Diodes Incorporated)也一直支持这个做法,提供相关产品。MR16 LED灯替换的市场需求非常大,单单在2013年便录得高达2亿的生产量。这其中是否存在创新和变化的空间?
事实上,MR16 LED灯的厂商已致力于进一步提升产品的可靠性,从而尽可能延长产品的寿命。可是,标准MR16外壳非常局限,因为缺乏通风系统,由LED丛集散发的传导热形成了持续不利的环境。例如,驱动器电路须抵受高达100°C的环境温度,问题因而应运而生。
最大的弱点
若LED灯出现故障,整流器也将受到影响。此时,标准的肖特基二极管便会暴露显而易见的内在弱点。
纵然这个器件的封装、贴装及散热片技术已有所提升,可是高漏电流特性使它对环境温度上的变化仍然敏感。当反向功率超出这款肖特基二极管的散热能力,也就是散热速度不及发热,即使适度受热,但二极管的低能源金属势垒设计使它容易受到破坏性热失控的影响。
除了低正向电压,低漏电也同样重要,因此市场对于采用肖特基二极管非常关注。在交流电桥式整流器内,每对二极管的传导和阻断工作各占周期的一半时间。要把传导损耗减至最低,低正向电压是先决条件。在阻断模式内,低漏电则是把功率损耗降至最低的关键要素。
若负载是完全阻性负载,工作周期就是50%。然而,在实际应用中,一般负载都会连接上电容以减少LED纹波电流,这样每支二极管的工作周期就能够降低至10%。因此反向漏电性能就显得至关重要了,其次才是正向电压。既然如此,我们是否可以考虑使用PN接面二极管呢?
答案很显然是不能考虑。因为相比肖特基二极管,快速恢复外延设备(FRED)无疑能够在较高温的情况下,大幅改善漏电问题。可是,其正向电压反映出明显的缺点。所以我们需要避免的是二极管内出现更高的功率损耗及产生更大的热量。 那么有什么其他好的解决方案吗?或是我们只能将就现有的方案?
SBR为理想解决方案
事实上,超级势垒整流器(Super Barrier Rectifier,简称SBR)面世已久,并成功提升较高功率和高温电源的效率。SBR把肖特基二极管的低正向电压特点与PN接面二极管的低漏电特性和稳定性结合起来,是增强MR16 LED灯可靠性的首选器件。
对于一般人而言,SBR结构与MOSFET相似。然而,SBR备有短栅极,并且利用数以千计独立储存格来制造并联式栅极通道网络。
这个结构包含了反栅极,在储存格下直接建立反向N-MOS通道。在正向工作模式内,大量电子可可在较低正向传导损耗下,流经反向N通道。电流将从顶电极,经由反向N通道,到达底电极。
在反向工作模式内,当外加电压达到数百mVs,夹断电压基于耗尽层的重叠区而产生。随着反向电压上升,反向漏电的变化显著放缓,并且维持平稳的状态,到达击穿电压。这代表SBR没有肖特基二极管的缺点。
此外,SBR的正向传导损耗性能远超过标准的PN接面二极管,这在输入桥应用内充分彰显出SBR器件能够大幅节省功率及节约能源。
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