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采用安森美半导体NCP5007的白光LED闪光灯
日期:2007/2/1 14:48:25   作者:安森美半导体公司

尽管氙灯在标准照相机市场占有统治地位,但是它们却不适合用在手机上。氙灯的储能电容太大,电压也太高,所以不适合用在移动电话上。当必须用一个闪光灯给一个要拍摄的景色照明时,用白光LED半导体器件比较合适。本文介绍了氙灯的基本概念,并详细介绍了一个典型的白光LED闪光灯的应用。


氙灯的概念


在低压情况下将一个稀有气体的混合物,充到一个两端有电极的玻璃瓶中。稳定状态下,电极两端的电压值被设成远低于触发电压,如图1所示。在这一点,没有电流流出,系统处于稳定状态,直到第三个电极上有一个触发电压。这个处于1kV范围内的高压脉冲来自于一个用小磁环做成的变压器,其触发是通过电容C2的突然放电进行的(如图2)。


图1 氙闪光灯的击穿电压

点燃气体,这个等离子体就会产生明亮的闪光,典型的持续时间是2ms,可以供给消费应用。闪光灯的类型不同,存储在电容C1里的能量可以是10焦耳(小相机),到用于专业应用的上千焦耳。


图2 基本的氙闪光灯

它的优点是脉冲短,能很方便地通过快照来捕捉移动物体。它的缺点是储能电容的体积太大,并且在两次拍照之间需要一个循环时间(在消费类应用中一般为5秒之内)给电容充电。显然,这些缺点使得氙闪光灯不适合用在手机上,因为有尺寸的限制和能量供应问题。


白光LED闪光灯

为了克服物理尺寸的限制,闪光灯利用了高效率的现代白光LED。

白光二极管有一个4V的前置电压降,不需要额外的高压触发脉冲,能快速的开/关,而且所有相关的电子电路都能放在一个标准的便携式电话里。由于白光LED有类似于标准LED(图3)的电子特性,所以必须用一个恒定的前置电流来控制。


图3典型的白光LED特性

对于白光LED闪光灯,不能直接采用标准电压源,必须通过一个额外的镇流器来设置电流。另一方面,要求闪光灯能够在典型电池电压范围(2.8V到5.2V)以外也能工作,并且必须具有一个相较简单的线性稳压器来说更合适的结构。为了达到这个目标,安森美半导体已经开发了一系列的白光 LED驱动器,其中NCP5007能满足闪光灯应用的要求。
典型的闪光灯应用

由于电池电压范围是从低压2.8V到高压5.2V,最简单经济的方法就是如图4那样排列白光LED。这样的排列避免了待机期间由模式操作带来的漏电流(大部分时间,闪光灯都没有被激活!)。

为了满足拍摄照片过程中的要求,NCP5007周围的电路被设计成既可以支持低光束电流又可以支持高闪光脉冲。

和检测电阻R1相连的DC/DC升压转换器,给负载提供了一个恒定电流以准确地给白光LED加偏压。芯片内部的200mV的参考电压(Vref),能最小化电池供电路径的压降。


低功率光束操作模式


通常来讲,这个操作模式用于对被拍照的景物进行预先照明(pre-light),以使红眼效果最小。NMOS晶体管Q1被偏置于OFF,并且R1提供反馈电压来调整负载电流。R1的值可以由欧姆定律得出:

R1 = Vref / Iout
 
在照明过程中,典型的LED操作偏置电流是4mA,检测电阻是51Ω。如果有必要,可以动态调整电流,用EN信号的引脚3作为一个数字控制:在NCP5007数据手册里详细描述了这种操作模式。这个引脚也可通过外部CPU的一个位(bit)去控制DC/DC。当然,通过设置相应的检测电阻也能提供更加强大的闪光。

从实际角度出发,电容C2是必须的,以避免能量从电感L1转移到白光LED过程中的大尖峰信号。另外,这个电容也使流进LED的电流平滑了,产生一个更好的发光效能。


图4 典型的便携式白光LED闪光灯电路

 


大功率闪光模式


一旦系统准备好要拍摄照片,那么就通过强制大电流偏压进入白光LED来激活闪光灯。和传统的银质胶片不同的是,数码相机的电子传感器不能在几个毫秒内捕捉景物,而是需要一个更长的延迟以存储所有的像素。典型的延迟范围是从100ms到200ms,这要根据相机和镜头的类型来定。因此,用一个储能电容在200ms期间内提供大电流是不切实际的。事实上,为了在200ms期间维持100mA的电流,须串联3个LED,假定在脉冲期间电压下降不超过0.5V,就应该采用一个4000μF/16V的电解电容,但是这样无法和一个便携式设备兼容。一个较好的方法是,在一个合理的时间(典型的是1秒)内给电容充电,当电容从0开始充电时,DC/DC转换器提供大约500mA的电流。因此,与其设计一个芯片给电容重新充电,远不如采用一个转换器来快速提供电流好。

为了激活闪光灯,应开启NMOS Q1,同时在反馈环里提供一个更低的检测电阻。用一个适合于期望电流的内部导通电阻Rdson来选择NMOS。由于NMOS的导通电阻随温度变化很大,而且从一个分配器到另一个分配器的范围也很大,所以用更大的NMOS串联一个外部电阻可以得到一个更容易预测的电路,如模板原理图所描绘的。表1列出了处理这样一个功能的首选产品。

表1 首选NMOS产品

Part

Icmax

Rdson

Package

BVSS

MMBF0201NLT1

6A

35mΩ

SO-8

30V

MMBF0201NLT1

0.2A

1Ω

SOT-23

20V

MMBF2201NT1

0.2A

1Ω

SC-70

20V

NTA4001NT1

0.24A

1.5Ω

SC-75

20V

MMFT960T1

0.3A

1.7Ω

SOT-223

60V

可以用一个NPN双极型器件实现这个功能,但是这类器件的饱和电压(Vcesat)接近于200mV,具体由内部参数定义,并且通过这种类型电路里不易实现。
演示板原理图

如图5所示的演示板支持低光束和大功率闪光灯,与一个数字PWM电路一起可以使LED变暗。紧接着,一个内置时钟将产生多次闪光灯,以便进行实现评价。通过开关S1 和S2选择操作模式,相关的电位计P1到P4如表2所述。第三个开关S3是一个按钮,用于手动触发闪光灯。

表2 开关配置和电位计功能

S1

Select the NCP5007 mode of operation:

GND=EN pin 3 forced to High, DC operation

VCC=EN pin 3 pulsed

If S1=VCC, then dim the light out of the LED:

  P1=Adjust the pulse width applied to EN pin3

  P2=Adjust the PWM frequency

S2

Select the Power Flash mode of operation:

GND=Single shot triggered by S3

VCC=Repetitive mode

If S2=VCC, then

  P3=Adjust the power flash repetitive frequency

  P4=Adjust the power flash duration

S3

Manual switch to trig the power flash

 


这样一来,就可能使模板通过独立偏压进行操作,不需要任何外部控制。然而,为了提供更高的灵活性,我们将模板连接到了MPU上:三引脚连接器被连接到正确的端口去控制LED变暗和闪光功能。

在独立操作情况下,开关S1和S3被置成低,芯片连续运行。低光束电流通过检测电阻R1设置:模板与一个51Ω的电阻一起通过白光LED产生4mA的直流电流。在这一点,可以通过按开关S3来触发闪光灯。通过调节电位计P4来预置闪光灯,以便在200ms的时间内提供60mA的电流。

该系统还可以重新调整,以便在低光束电流时使闪光变暗,或是产生一个脉冲闪光。

当开关S1置于“高”时,变暗功能被激活。在此模式下,门电路U3和单触发电路U1一道产生时钟,去控制EN的引脚3,对直流负载电流进行PWM调制。

当开关S2置于“高”时,脉冲闪光灯被激活。在此模式下,门电路U3和U4,以及单触发电路U1的第二个边一道产生时钟,提供一个低码率信号触发闪光灯。脉冲宽度可以通过P4进行手工调节。


图5 模板原理图


 

表3高光束演示板零件列表

used

Part

Designator

Footprint

Description

2

1.5kΩ

R13, R14

0805

电阻器

1

3.3Ω

R10

0805

电阻器

1

51Ω

R9

0805

电阻器

8

10kΩ

R1, R2, R3, R4, R5, R6, R11, R12

0805

电阻器

2

100kΩ

R7, R8

0805

电阻器

2

1N4148

D6, D7

DIODE0.4

二极管

2

100kΩ

P2, P3

VR4

线性电位计

1

500kΩ

P1

VR4

线性电位计

1

500kΩ

P4

VR4

线性电位计

4

100nF

C1, C3, C9, C10

0805

陶瓷电容,MURATA

1

10μF/10V

C4

1210

陶瓷电容,MURATA

1

1μF/10V

C8

0805

陶瓷电容,MURATA

1

1nF

C7

0805

陶瓷电容,MURATA

4

4.7μF/6V

C2, C5, C6, C11

1210

陶瓷电容,MURATA

2

LED

D8, D9

LED_2

LED

3

LED

D3, D4, D5

LED_2

LEDOSRAM LWT67SQ2-4

1

22μH

L1

1210

电感:Coil Craft 1008

1

M54HC123

U1

SO-16

Dual Retriggerable one shot

2

MBR0530

D1, D2

1210

肖特基二极管

1

SNJ54HC132

U3

SO-14

具有施密特触发输入的四重正与非门

1

MMBF0201NLT1

Q1

SOT-23

MOSFET

1

NCP5007

U2

TSSOP5

白色LED 驱动器

1

NL27WZ14

U4

SOT_23B

双施密特触发反相器

1

NL27WZ32

U5

US8

双或门

1

EXTERNAL

J2

SIP3

连接器

1

GND

Z1

GND_TEST

连接器

1

NORMAL/PWM

S1

SIP3

手动开关

1

SINGLE/REPEAT

S2

SIP3

手动开关

1

TRIG

S3

PUSH_BT_B

按钮

1

VFB

TP1

TEST_POINT

连接器

1

Vbat

J1

PLUG_4MM_DUAL

连接器


进一步信息,请参考AND8135/D Efficient High Power Flash Light,网址为http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/AND8135-D.PDF

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