尽管氙灯在标准照相机市场占有统治地位,但是它们却不适合用在手机上。氙灯的储能电容太大,电压也太高,所以不适合用在移动电话上。当必须用一个闪光灯给一个要拍摄的景色照明时,用白光LED半导体器件比较合适。本文介绍了氙灯的基本概念,并详细介绍了一个典型的白光LED闪光灯的应用。
氙灯的概念
在低压情况下将一个稀有气体的混合物,充到一个两端有电极的玻璃瓶中。稳定状态下,电极两端的电压值被设成远低于触发电压,如图1所示。在这一点,没有电流流出,系统处于稳定状态,直到第三个电极上有一个触发电压。这个处于1kV范围内的高压脉冲来自于一个用小磁环做成的变压器,其触发是通过电容C2的突然放电进行的(如图2)。

图1 氙闪光灯的击穿电压
点燃气体,这个等离子体就会产生明亮的闪光,典型的持续时间是2ms,可以供给消费应用。闪光灯的类型不同,存储在电容C1里的能量可以是10焦耳(小相机),到用于专业应用的上千焦耳。

图2 基本的氙闪光灯
它的优点是脉冲短,能很方便地通过快照来捕捉移动物体。它的缺点是储能电容的体积太大,并且在两次拍照之间需要一个循环时间(在消费类应用中一般为5秒之内)给电容充电。显然,这些缺点使得氙闪光灯不适合用在手机上,因为有尺寸的限制和能量供应问题。
白光LED闪光灯
为了克服物理尺寸的限制,闪光灯利用了高效率的现代白光LED。
白光二极管有一个4V的前置电压降,不需要额外的高压触发脉冲,能快速的开/关,而且所有相关的电子电路都能放在一个标准的便携式电话里。由于白光LED有类似于标准LED(图3)的电子特性,所以必须用一个恒定的前置电流来控制。

图3典型的白光LED特性
对于白光LED闪光灯,不能直接采用标准电压源,必须通过一个额外的镇流器来设置电流。另一方面,要求闪光灯能够在典型电池电压范围(2.8V到5.2V)以外也能工作,并且必须具有一个相较简单的线性稳压器来说更合适的结构。为了达到这个目标,安森美半导体已经开发了一系列的白光 LED驱动器,其中NCP5007能满足闪光灯应用的要求。
典型的闪光灯应用
由于电池电压范围是从低压2.8V到高压5.2V,最简单经济的方法就是如图4那样排列白光LED。这样的排列避免了待机期间由模式操作带来的漏电流(大部分时间,闪光灯都没有被激活!)。
为了满足拍摄照片过程中的要求,NCP5007周围的电路被设计成既可以支持低光束电流又可以支持高闪光脉冲。
和检测电阻R1相连的DC/DC升压转换器,给负载提供了一个恒定电流以准确地给白光LED加偏压。芯片内部的200mV的参考电压(Vref),能最小化电池供电路径的压降。
低功率光束操作模式
通常来讲,这个操作模式用于对被拍照的景物进行预先照明(pre-light),以使红眼效果最小。NMOS晶体管Q1被偏置于OFF,并且R1提供反馈电压来调整负载电流。R1的值可以由欧姆定律得出:
R1 = Vref / Iout
在照明过程中,典型的LED操作偏置电流是4mA,检测电阻是51Ω。如果有必要,可以动态调整电流,用EN信号的引脚3作为一个数字控制:在NCP5007数据手册里详细描述了这种操作模式。这个引脚也可通过外部CPU的一个位(bit)去控制DC/DC。当然,通过设置相应的检测电阻也能提供更加强大的闪光。
从实际角度出发,电容C2是必须的,以避免能量从电感L1转移到白光LED过程中的大尖峰信号。另外,这个电容也使流进LED的电流平滑了,产生一个更好的发光效能。

图4 典型的便携式白光LED闪光灯电路
大功率闪光模式
一旦系统准备好要拍摄照片,那么就通过强制大电流偏压进入白光LED来激活闪光灯。和传统的银质胶片不同的是,数码相机的电子传感器不能在几个毫秒内捕捉景物,而是需要一个更长的延迟以存储所有的像素。典型的延迟范围是从100ms到200ms,这要根据相机和镜头的类型来定。因此,用一个储能电容在200ms期间内提供大电流是不切实际的。事实上,为了在200ms期间维持100mA的电流,须串联3个LED,假定在脉冲期间电压下降不超过0.5V,就应该采用一个4000μF/16V的电解电容,但是这样无法和一个便携式设备兼容。一个较好的方法是,在一个合理的时间(典型的是1秒)内给电容充电,当电容从0开始充电时,DC/DC转换器提供大约500mA的电流。因此,与其设计一个芯片给电容重新充电,远不如采用一个转换器来快速提供电流好。
为了激活闪光灯,应开启NMOS Q1,同时在反馈环里提供一个更低的检测电阻。用一个适合于期望电流的内部导通电阻Rdson来选择NMOS。由于NMOS的导通电阻随温度变化很大,而且从一个分配器到另一个分配器的范围也很大,所以用更大的NMOS串联一个外部电阻可以得到一个更容易预测的电路,如模板原理图所描绘的。表1列出了处理这样一个功能的首选产品。
表1 首选NMOS产品
Part |
Icmax |
Rdson |
Package |
BVSS |
MMBF0201NLT1 |
6A |
35mΩ |
SO-8 |
30V |
MMBF0201NLT1 |
0.2A |
1Ω |
SOT-23 |
20V |
MMBF2201NT1 |
0.2A |
1Ω |
SC-70 |
20V |
NTA4001NT1 |
0.24A |
1.5Ω |
SC-75 |
20V |
MMFT960T1 |
0.3A |
1.7Ω |
SOT-223 |
60V |
可以用一个NPN双极型器件实现这个功能,但是这类器件的饱和电压(Vcesat)接近于200mV,具体由内部参数定义,并且通过这种类型电路里不易实现。
演示板原理图
如图5所示的演示板支持低光束和大功率闪光灯,与一个数字PWM电路一起可以使LED变暗。紧接着,一个内置时钟将产生多次闪光灯,以便进行实现评价。通过开关S1 和S2选择操作模式,相关的电位计P1到P4如表2所述。第三个开关S3是一个按钮,用于手动触发闪光灯。
表2 开关配置和电位计功能
S1 |
Select the NCP5007 mode of operation:
GND=EN pin 3 forced to High, DC operation
VCC=EN pin 3 pulsed |
If S1=VCC, then dim the light out of the LED:
P1=Adjust the pulse width applied to EN pin3
P2=Adjust the PWM frequency |
S2 |
Select the Power Flash mode of operation:
GND=Single shot triggered by S3
VCC=Repetitive mode |
If S2=VCC, then
P3=Adjust the power flash repetitive frequency
P4=Adjust the power flash duration |
S3 |
Manual switch to trig the power flash |
|
这样一来,就可能使模板通过独立偏压进行操作,不需要任何外部控制。然而,为了提供更高的灵活性,我们将模板连接到了MPU上:三引脚连接器被连接到正确的端口去控制LED变暗和闪光功能。
在独立操作情况下,开关S1和S3被置成低,芯片连续运行。低光束电流通过检测电阻R1设置:模板与一个51Ω的电阻一起通过白光LED产生4mA的直流电流。在这一点,可以通过按开关S3来触发闪光灯。通过调节电位计P4来预置闪光灯,以便在200ms的时间内提供60mA的电流。
该系统还可以重新调整,以便在低光束电流时使闪光变暗,或是产生一个脉冲闪光。
当开关S1置于“高”时,变暗功能被激活。在此模式下,门电路U3和单触发电路U1一道产生时钟,去控制EN的引脚3,对直流负载电流进行PWM调制。
当开关S2置于“高”时,脉冲闪光灯被激活。在此模式下,门电路U3和U4,以及单触发电路U1的第二个边一道产生时钟,提供一个低码率信号触发闪光灯。脉冲宽度可以通过P4进行手工调节。

图5 模板原理图
表3高光束演示板零件列表
used |
Part |
Designator |
Footprint |
Description |
2 |
1.5kΩ |
R13, R14 |
0805 |
电阻器 |
1 |
3.3Ω |
R10 |
0805 |
电阻器 |
1 |
51Ω |
R9 |
0805 |
电阻器 |
8 |
10kΩ |
R1, R2, R3, R4, R5, R6, R11, R12 |
0805 |
电阻器 |
2 |
100kΩ |
R7, R8 |
0805 |
电阻器 |
2 |
1N4148 |
D6, D7 |
DIODE0.4 |
二极管 |
2 |
100kΩ |
P2, P3 |
VR4 |
线性电位计 |
1 |
500kΩ |
P1 |
VR4 |
线性电位计 |
1 |
500kΩ |
P4 |
VR4 |
线性电位计 |
4 |
100nF |
C1, C3, C9, C10 |
0805 |
陶瓷电容,MURATA |
1 |
10μF/10V |
C4 |
1210 |
陶瓷电容,MURATA |
1 |
1μF/10V |
C8 |
0805 |
陶瓷电容,MURATA |
1 |
1nF |
C7 |
0805 |
陶瓷电容,MURATA |
4 |
4.7μF/6V |
C2, C5, C6, C11 |
1210 |
陶瓷电容,MURATA |
2 |
LED |
D8, D9 |
LED_2 |
LED |
3 |
LED |
D3, D4, D5 |
LED_2 |
LED:OSRAM LWT67SQ2-4 |
1 |
22μH |
L1 |
1210 |
电感:Coil Craft 1008 |
1 |
M54HC123 |
U1 |
SO-16 |
Dual Retriggerable one shot |
2 |
MBR0530 |
D1, D2 |
1210 |
肖特基二极管 |
1 |
SNJ54HC132 |
U3 |
SO-14 |
具有施密特触发输入的四重正与非门 |
1 |
MMBF0201NLT1 |
Q1 |
SOT-23 |
MOSFET |
1 |
NCP5007 |
U2 |
TSSOP5 |
白色LED 驱动器 |
1 |
NL27WZ14 |
U4 |
SOT_23B |
双施密特触发反相器 |
1 |
NL27WZ32 |
U5 |
US8 |
双或门 |
1 |
EXTERNAL |
J2 |
SIP3 |
连接器 |
1 |
GND |
Z1 |
GND_TEST |
连接器 |
1 |
NORMAL/PWM |
S1 |
SIP3 |
手动开关 |
1 |
SINGLE/REPEAT |
S2 |
SIP3 |
手动开关 |
1 |
TRIG |
S3 |
PUSH_BT_B |
按钮 |
1 |
VFB |
TP1 |
TEST_POINT |
连接器 |
1 |
Vbat |
J1 |
PLUG_4MM_DUAL |
连接器 |
进一步信息,请参考AND8135/D Efficient High Power Flash Light,网址为http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/AND8135-D.PDF。